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M.2 NGFF NVMe Modul

Die M.2 NVMe Module entsprechen dem JEDEC M.2 Standard Next Generation Form Faktor (NGFF) mit einem PCIe Interface und sind eine schnelle Alternative zu Modulen mit SATA Interface.

Die Module sind in verschiedenen Abmessungen mit pSLC, MLC und TLC Speicher erhältlich und bieten Kapazitäten bis zu 4TB mit der doppelten Performance von SATA SSDs. Mögliche Einsatzgebiete sind zum einen I/O intensive Datenbankanwendungen mit gleichzeitig großem Speicherbedarf sowie Anwendungen, die eine möglichst niedrige Latenzzeit erfordern, wie z.B. Überwachung, Bildverarbeitung oder Netzwerk Storage Systeme.

  • Ausgezeichnete Read/Write Performance
  • Keine beweglichen Teile
  • Sehr kompaktes, vibrationshemmendes Design
  • JEDEC M.2(NGFF)
  • Standard M.2 Stecker
  • PCIe Gen2x4, Gen3x2 oder Gen3x4 Interface
  • PCI Express Base Specification Rev.3.1
  • NVMe Express Base Specification Rev.1.2
  • Temperaturkontrolle
  • ECC Defect Management
  • Statisches und dynamisches Wear Leveling
  • Intelligente Fehlerkorrektur
  • S.M.A.R.T Funktionen
  • Powermanagement
  • Stoß- und Vibrationsfest
  • Geringe Leistungsaufnahme
  • Industrie Temperaturbereich optional
  • ATP M.2 1620 HSBGA pSLC (N700)
  • Novachips
    M.2 2280 pSLC
  • Novachips
    M.2 2280 MLC
  • ATP
    M.2 2280 TLC
  • Innodisk
    M.2 (P80) 3TG3-P
  • Innodisk
    M.2 (P80) 3TG6-P
  • Innodisk
    M.2 (P80) 3TE6
SpezifikationATP M.2 1620 HSBGA pSLC (N700)
Maße 16mm*1,6mm*20mm, 1620 Form Faktor
Solid State pSLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes
Bauform 291-Ball HSBGA
auch als steckbares Modul M.2 2230 verfügbar
Datentransferrate bis zu 2000MB/s Sustained Read und 1700MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 95000 IOPS Random Read
Zusätzliche Ausstattung Advanced Thermal Control Temperaturmanagement
(H/W und F/W)
Conformal Coating (optional)
AES 256 und TCG Opal Verschlüsselung (optional)
Hardware Schreibschutz
Hardware basierendes Quick Erase und Secure Erase
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Global Wear Leveling,
AutoRefresh
End-to-End Datenschutz
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
TRIM
Power-Loss-Protection zur Sicherung der Datenintegrität
PowerProtector
Kein DRAM Cache
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch min. 5mW (Sleep Mode)
Kapazität 40, 80, 160GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 1070TB (40GB) bis 4280TB (160GB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Novachips M.2 2280 pSLC
Maße 22mm*3,8mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State pSLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 1200MB/s Sustained Read und 1100MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS Random Read / Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperaturmanagement (Military Grade)
AES-256 Verschlüsselung (optional)
FIPS 179 Standard (Military Grade)
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine)
Statisches und Dynamisches Wear Leveling
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
End-To-End Datenschutz
Power Loss Datenschutz
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 7W (Sustained Write)
Kapazität 125, 250, 500GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >1 500 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 340TB (125GB) bis2500TB (1TB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
k.A. (Sequential Write)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Novachips M.2 2280 MLC
Maße 22mm*3,8mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 1000MB/s Sustained Read und
800MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS Random Read/Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperaturmanagement (Military Grade)
AES-256 Verschlüsselung (optional)
FIPS 179 Standard (Military Grade)
FIPS 140-2 Standard (nur 500GB Military Grade, optional)
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine)
Statisches und Dynamisches Wear Leveling
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
End-To-End Datenschutz
Power Loss Datenschutz
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 7W (Sustained Write)
Kapazität 250, 500GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 60TB (250GB) bis 500TB (2TB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
k.A. (Sequential Write)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation ATP M.2 2280 TLC (N600Si/N600Sc)
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D3-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 3420MB/s Sustained Read und
3050MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 225200 IOPS Random Read und
bis zu 179200 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Advanced Thermal Control Temperaturmanagement
(H/W und F/W)
Conformal Coating (optional)
AES 256 und TCG Opal Verschlüsselung (optional)
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine)
Global Wear Leveling,
AutoRefresh
End-to-End Datenschutz
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
TRIM
Power-Loss-Protection zur Sicherung der Datenintegrität
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 8,9 (Sustained Write)
Kapazität 120, 240, 480, 960, 1920GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 320TB (120GB) bis 5120TB (1920GB) geschriebene Daten (Sequential Write)
96TB (120GB) bis 1536TB (1920GB) geschriebene Daten (Radom Write JESD218) .
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Innodisk M.2 (P80) 3TG3-P
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State TLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes
Stecker 75 Position Edge Card Connector
Datentransferrate bis zu 3300MB/s Sustained Read und
2500MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 300000 IOPS Random Read und
289000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
End-To-End Datenschutz
iData Guard
externer DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 7,78W
Kapazität 128, 256, 512GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 340TB (128GB) bis 5454TB (2TB) geschriebene Daten (Sequential Write)
k.A. (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Innodisk M.2 (P80) 3TG6-P
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State TLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes
Stecker 75 Position Edge Card Connector
Datentransferrate bis zu 3500MB/s Sustained Read und
2600MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 418000 IOPS Random Read und
381000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
End-To-End Datenschutz
iData Guard
externer DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 5,5W
Kapazität 64, 128, 256, 512GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 170TB (64GB) bis 5454TB (2TB) geschriebene Daten (Sequential Write)
k.A. (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Innodisk M.2 (P80) 3TE6
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State TLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes
Stecker 75 Position Edge Card Connector
Datentransferrate bis zu 2000MB/s Sustained Read und
1850MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 350000 IOPS Random Read und
260000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
End-To-End Datenschutz
iData Guard
externer DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 5,1W
Kapazität 64, 128, 256, 512GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 170TB (64GB) bis 5454TB (2TB) geschriebene Daten (Sequential Write)
39TB (64GB) bis 2386TB (2TB). (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  

(Technische Änderungen vorbehalten)