M.2 NGFF NVMe Modul
Die M.2 NVMe Module entsprechen dem JEDEC M.2 Standard Next Generation Form Faktor (NGFF) mit einem PCIe Interface und sind eine schnelle Alternative zu Modulen mit SATA Interface.
Die Module sind in verschiedenen Abmessungen mit pSLC, MLC und TLC Speicher erhältlich und bieten Kapazitäten bis zu 4TB mit der doppelten Performance von SATA SSDs. Mögliche Einsatzgebiete sind zum einen I/O intensive Datenbankanwendungen mit gleichzeitig großem Speicherbedarf sowie Anwendungen, die eine möglichst niedrige Latenzzeit erfordern, wie z.B. Überwachung, Bildverarbeitung oder Netzwerk Storage Systeme.
- Ausgezeichnete Read/Write Performance
- Keine beweglichen Teile
- Sehr kompaktes, vibrationshemmendes Design
- JEDEC M.2(NGFF)
- Standard M.2 Stecker
- PCIe Gen2x4, Gen3x2 oder Gen3x4 Interface
- PCI Express Base Specification Rev.3.1
- NVMe Express Base Specification Rev.1.2
- Temperaturkontrolle
- ECC Defect Management
- Statisches und dynamisches Wear Leveling
- Intelligente Fehlerkorrektur
- S.M.A.R.T Funktionen
- Powermanagement
- Stoß- und Vibrationsfest
- Geringe Leistungsaufnahme
- Industrie Temperaturbereich optional
ATP M.2 1620 HSBGA pSLC (N700)
Novachips
M.2 2280 pSLC
Novachips
M.2 2280 MLC
ATP
M.2 2280 TLC
Innodisk
M.2 (P80) 3TG3-P
Innodisk
M.2 (P80) 3TG6-P
Innodisk
M.2 (P80) 3TE6
| Maße | 16mm*1,6mm*20mm, 1620 Form Faktor |
| Solid State | pSLC NAND Flash (Industriestandard) |
| Interface | PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes |
| Bauform | 291-Ball HSBGA auch als steckbares Modul M.2 2230 verfügbar |
| Datentransferrate | bis zu 2000MB/s Sustained Read und 1700MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität) |
| I/O Performance | bis zu 95000 IOPS Random Read |
| Zusätzliche Ausstattung | Advanced Thermal Control Temperaturmanagement (H/W und F/W) Conformal Coating (optional) AES 256 und TCG Opal Verschlüsselung (optional) Hardware Schreibschutz Hardware basierendes Quick Erase und Secure Erase |
| Flash Management | ECC (LDPC und RAID Engine), Global Wear Leveling, AutoRefresh End-to-End Datenschutz Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung Bad Block Management S.M.A.R.T. Unterstützung DRAM Cache TRIM Power-Loss-Protection zur Sicherung der Datenintegrität PowerProtector Kein DRAM Cache |
| Spannungsversorgung | 3,3VDC +/- 5% |
| Stromverbrauch | min. 5mW (Sleep Mode) |
| Kapazität | 40, 80, 160GB |
| Temperaturbereich (Betrieb) | 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich) |
| MTBF | >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C) |
| Lebensdauer (TBW) | 1070TB (40GB) bis 4280TB (160GB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218) |
| Herstellergarantie | 5 Jahre |
| auf Anforderung |
| Maße | 22mm*3,8mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor |
| Solid State | pSLC NAND Flash (Industriestandard) |
| Interface | PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes |
| Stecker | Standard M.2 NGFF |
| Datentransferrate | bis zu 1200MB/s Sustained Read und 1100MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität) |
| I/O Performance | bis zu 50000 IOPS Random Read / Write |
| Zusätzliche Ausstattung | Conformal Coating (optional) Temperaturmanagement (Military Grade) AES-256 Verschlüsselung (optional) FIPS 179 Standard (Military Grade) |
| Flash Management | ECC (LDPC und RAID Engine) Statisches und Dynamisches Wear Leveling Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung Bad Block Management S.M.A.R.T. Unterstützung DRAM Cache End-To-End Datenschutz Power Loss Datenschutz |
| Spannungsversorgung | 3,3VDC +/- 5% |
| Stromverbrauch | max. 7W (Sustained Write) |
| Kapazität | 125, 250, 500GB, 1TB |
| Temperaturbereich (Betrieb) | 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich) |
| MTBF | >1 500 000 Stunden (Telcordia, 25°C) |
| Lebensdauer (TBW) | 340TB (125GB) bis2500TB (1TB) geschriebene Daten
(Radom Write, JESD218) k.A. (Sequential Write) |
| Herstellergarantie | 5 Jahre |
| auf Anforderung |
| Maße | 22mm*3,8mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor |
| Solid State | MLC NAND Flash (Industriestandard) |
| Interface | PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes |
| Stecker | Standard M.2 NGFF |
| Datentransferrate | bis zu 1000MB/s Sustained Read und 800MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität) |
| I/O Performance | bis zu 50000 IOPS Random Read/Write |
| Zusätzliche Ausstattung | Conformal Coating (optional) Temperaturmanagement (Military Grade) AES-256 Verschlüsselung (optional) FIPS 179 Standard (Military Grade) FIPS 140-2 Standard (nur 500GB Military Grade, optional) |
| Flash Management | ECC (LDPC und RAID Engine) Statisches und Dynamisches Wear Leveling Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung Bad Block Management S.M.A.R.T. Unterstützung DRAM Cache End-To-End Datenschutz Power Loss Datenschutz |
| Spannungsversorgung | 3,3VDC +/- 5% |
| Stromverbrauch | max. 7W (Sustained Write) |
| Kapazität | 250, 500GB, 1, 2TB |
| Temperaturbereich (Betrieb) | 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich) |
| MTBF | >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C) |
| Lebensdauer (TBW) | 60TB (250GB) bis 500TB (2TB) geschriebene Daten
(Radom Write, JESD218) k.A. (Sequential Write) |
| Herstellergarantie | 5 Jahre |
| auf Anforderung |
| Maße | 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D3-B-M Form Faktor |
| Solid State | 3D TLC NAND Flash (Industriestandard) |
| Interface | PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes |
| Stecker | Standard M.2 NGFF |
| Datentransferrate | bis zu 3420MB/s Sustained Read und 3050MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität) |
| I/O Performance | bis zu 225200 IOPS Random Read und bis zu 179200 IOPS Random Write |
| Zusätzliche Ausstattung | Advanced Thermal Control Temperaturmanagement (H/W und F/W) Conformal Coating (optional) AES 256 und TCG Opal Verschlüsselung (optional) |
| Flash Management | ECC (LDPC und RAID Engine) Global Wear Leveling, AutoRefresh End-to-End Datenschutz Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung Bad Block Management S.M.A.R.T. Unterstützung DRAM Cache TRIM Power-Loss-Protection zur Sicherung der Datenintegrität PowerProtector |
| Spannungsversorgung | 3,3VDC +/- 5% |
| Stromverbrauch | max. 8,9 (Sustained Write) |
| Kapazität | 120, 240, 480, 960, 1920GB |
| Temperaturbereich (Betrieb) | 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich) |
| MTBF | >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C) |
| Lebensdauer (TBW) | 320TB (120GB) bis 5120TB (1920GB) geschriebene Daten (Sequential Write) 96TB (120GB) bis 1536TB (1920GB) geschriebene Daten (Radom Write JESD218) . |
| Herstellergarantie | 2 Jahre |
| auf Anforderung |
| Maße | 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor |
| Solid State | TLC NAND Flash (Industriestandard) |
| Interface | PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes |
| Stecker | 75 Position Edge Card Connector |
| Datentransferrate | bis zu 3300MB/s Sustained Read und 2500MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität) |
| I/O Performance | bis zu 300000 IOPS Random Read und 289000 IOPS Random Write |
| Zusätzliche Ausstattung | Conformal Coating (optional) Temperatursensor |
| Flash Management | ECC (LDPC und RAID Engine), Statisches und Dynamisches Wear Leveling, Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung Bad Block Management S.M.A.R.T. Unterstützung Garbage Collection End-To-End Datenschutz iData Guard externer DRAM Puffer |
| Spannungsversorgung | 3,3VDC +/- 5% |
| Stromverbrauch | max. 7,78W |
| Kapazität | 128, 256, 512GB, 1, 2TB |
| Temperaturbereich (Betrieb) | 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich) |
| MTBF | >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C) |
| Lebensdauer (TBW) | 340TB (128GB) bis 5454TB (2TB) geschriebene Daten (Sequential Write) k.A. (Radom Write, JESD218) |
| Herstellergarantie | 3 Jahre |
| auf Anforderung |
| Maße | 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor |
| Solid State | TLC NAND Flash (Industriestandard) |
| Interface | PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes |
| Stecker | 75 Position Edge Card Connector |
| Datentransferrate | bis zu 3500MB/s Sustained Read und 2600MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität) |
| I/O Performance | bis zu 418000 IOPS Random Read und 381000 IOPS Random Write |
| Zusätzliche Ausstattung | Conformal Coating (optional) Temperatursensor |
| Flash Management | ECC (LDPC und RAID Engine), Statisches und Dynamisches Wear Leveling, Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung Bad Block Management S.M.A.R.T. Unterstützung Garbage Collection End-To-End Datenschutz iData Guard externer DRAM Puffer |
| Spannungsversorgung | 3,3VDC +/- 5% |
| Stromverbrauch | max. 5,5W |
| Kapazität | 64, 128, 256, 512GB, 1, 2TB |
| Temperaturbereich (Betrieb) | 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich) |
| MTBF | >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C) |
| Lebensdauer (TBW) | 170TB (64GB) bis 5454TB (2TB) geschriebene Daten (Sequential Write) k.A. (Radom Write, JESD218) |
| Herstellergarantie | 3 Jahre |
| auf Anforderung |
| Maße | 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor |
| Solid State | TLC NAND Flash (Industriestandard) |
| Interface | PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes |
| Stecker | 75 Position Edge Card Connector |
| Datentransferrate | bis zu 2000MB/s Sustained Read und 1850MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität) |
| I/O Performance | bis zu 350000 IOPS Random Read und 260000 IOPS Random Write |
| Zusätzliche Ausstattung | Conformal Coating (optional) Temperatursensor |
| Flash Management | ECC (LDPC und RAID Engine), Statisches und Dynamisches Wear Leveling, Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung Bad Block Management S.M.A.R.T. Unterstützung Garbage Collection End-To-End Datenschutz iData Guard externer DRAM Puffer |
| Spannungsversorgung | 3,3VDC +/- 5% |
| Stromverbrauch | max. 5,1W |
| Kapazität | 64, 128, 256, 512GB, 1, 2TB |
| Temperaturbereich (Betrieb) | 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich) |
| MTBF | >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C) |
| Lebensdauer (TBW) | 170TB (64GB) bis 5454TB (2TB) geschriebene Daten (Sequential Write) 39TB (64GB) bis 2386TB (2TB). (Radom Write, JESD218) |
| Herstellergarantie | 3 Jahre |
| auf Anforderung |
(Technische Änderungen vorbehalten)